国产两大存储巨头或将联手，开发HBM！

据韩媒ZDNet Korea报道，长江存储正在和长鑫存储合作，计划联合开发 DRAM 和 HBM 产品。

按照目前的方案，长鑫存储提供DRAM，长江存储则贡献其在混合键合方面的技术能力，而这种工艺很可能会被用到下一代 HBM 产品中。

众所周知，长江存储长期专注在NAND闪存领域，而长鑫存储的主力方向是 DRAM，两者合作无疑是一次存储产业链上的强强联合。

尤其是在 HBM 这一高性能存储方向上，混合键合技术是关键突破口。

与传统的焊球连接方式不同，混合键合是让芯片层与层之间直接铜对铜连接，既能减小封装厚度，也能提升性能和散热效果。

早在五年前，长江存储就已经在 NAND 闪存中率先应用这种技术，并把它发展成了自家的 Xtacking 工艺，已经在 X2、X3、X4 等一系列 NAND 产品中成熟量产。

如今拿出来和 DRAM 进行结合，可以说潜力无限。

业内猜测，此次长江存储和长鑫存储合作，与8月31日特朗普颁布的豁免令相关。

8月31日，特朗普宣布三星和SK海力士将不被允许向中国工厂运送新的美国制造设备。

这意味着这2家公司更难在中国生产芯片，换句话说，中国的DRAM和HBM市场是本土厂商一个难得的窗口期。

此次长江存储和长鑫存储合作，正好踩在这个时间点上，可以借此加快缩小与海外厂商在 HBM 领域的技术差距。

当然，特朗普的这一措施，也被认为是为了美国存储厂商美光的发展。

目前的 HBM 市场基本是三足鼎立格局。三星、SK 海力士和美光三家长期垄断，其中 SK 海力士因为和英伟达的深度合作，占据了超过一半的市场份额。

三星、SK 海力士受限，美光也可以借机拓展。

近期美光宣布将其 DRAM 市场份额提升至 21.5%，并计划到 2025 年底将市场份额将扩大到 25%。

对国内厂商来说，这也是一个难得的突破口。目前长鑫存储已准备在明年量产第四代 HBM3 芯片，虽然和三星、SK 海力士的 HBM3E 产品相比还有差距，但差距缩小的速度比外界预期的更快。

与此同时，华为也在存储硬件领域持续发力，推出了面向高性能数据中心的 AI 固态硬盘，进一步丰富了国内高性能存储的生态。