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曝 三星 已解散HBM团队!

芯片2025-12-06
据报道,三星电子已解散HBM专门开发团队,其团队工程师并入更大的DRAM部门。此前,专注于HBM的工程师则在DRAM部门继续开发HBM4和HBM4E。2024年7月,三星在快速增长的HBM市场被SK海力士赶超,失去第一的位置,因此三星快速组建了独立的HBM开发团队。如今短短1年多就解散。不少人认为,是因为三星对其下一代HBM技术已经充满了信心,不需要设立专门...

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据报道,三星电子已解散HBM专门开发团队,其团队工程师并入更大的DRAM部门。此前,专注于HBM的工程师则在DRAM部门继续开发HBM4和HBM4E。

2024年7月,三星在快速增长的HBM市场被SK海力士赶超,失去第一的位置,因此三星快速组建了独立的HBM开发团队。

如今短短1年多就解散。不少人认为,是因为三星对其下一代HBM技术已经充满了信心,不需要设立专门的开发团队了。

目前,三星在HBM领域已经与全球主要AI 芯片大厂都进行了合作,其HBM3E产品已实现量产并交付给英伟达、AMD等客户,下一代HBM4的订单也已售罄,并且计划采用更先进的1c纳米制程。

市场研究机构 TrendForce 预测,到 2026 年三星将占据全球 HBM 市场超过 30% 的份额。

虽然在第二季度三星已经跌至第三名,但《韩国经济日报》报导,三星HBM4产品正快速扩大市占,并受惠于标准型DRAM价格年涨幅高达56%,使得整体存储部门营收大幅提升。

除了存储价格回升外,NAND Flash价格也回升,有助带动整体毛利结构改善。

在DDRM方面,由于价格飙升,近期三星半导体部门(DS)对手机部门(MX)的LPDDR5X内存供应已从年度定价改为季度定价。

此外三星正积极扩大1c DRAM(第六代)产能,主要通过在平泽(P4)工厂新建产线和改造华城工厂的生产线。

并且计划削减部分HBM3E产能,将资源转向盈利能力更强的1b纳米通用DRAM(如DDR5)。


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